Microchip PIC12F1501读/写闪存

Question

对于我的项目，使用PIC12F1501，我使用NCO外设为电路提供脉冲，我将以两种工作模式进行操作，即校准模式和正常工作模式。

底层电路在特定频率下运行最佳，要找出该特定频率，我需要在整个生命周期内进行一次扫频，将该频率值存储在闪存中，并每隔一段时间进行一次操作，并在获取工作频率的正常操作下运行从闪光灯。

校准和正常操作模式之间的切换是通过数字输入完成的。

校准模式：

• 使用PFM模式以大约50％的占空比将NCO频率从800kHz扫描到999kHz
• 找到最佳工作点（使用AN引脚）
• 将值存储在Flash中。

普通手术：

• 从闪存读取值
• 用读取的变量初始化NCO频率值
• 做其他功能。

如前所述，校准仅进行一次，并且该值必须存储在闪存中的特定位置。 每隔一次，当电路（重新）启动时，正常操作模式将读取闪存并相应地初始化NCO。

我尝试使用memory.c中提供的例程，但是FLASH_WriteWord（）要求我声明一个变量unit16_t ramBuf [16]，该变量已经占用32个字节，并且与其他声明一起，我空间不足。 我尝试如下修改此写词，但仍然无法使其正常工作。

问题：
有人可以帮助我仅在校准期间将两个16bit数据写入闪存，并且可以在正常操作模式下读取吗？ 我的代码如下...

main.c：

/* Flash Memory */
 #define NCOFreq_addr 0x0380

/* Definitions for RAM Memory Allocation */

uint16_t ramBuf[WRITE_FLASH_BLOCKSIZE]; // Needed for writing block
uint16_t PWMValue[2];


void Calibrate()
{

// Code for PWM Sweep       


      PWMValue[0] = PWMSweep; 
      PWMValue[1] = ADC_GetConversion(0);




FLASH_WriteWord(NCOFreq_addr, ramBuf, PWMValue); // Write Values to Flash
__delay_ms(1000);

Calib_DONE = 0x01; // Set this so that the calibration is done only once. 

}


void ReadData()
{
PWMValue[0] = FLASH_ReadWord(NCOFreq_addr);
__delay_ms(1000);

PWMValue[1] = FLASH_ReadWord(NCOFreq_addr+1); 
__delay_ms(1000); 



NCO1INCH = PWMValue[0] >> 8; 
NCO1INCL = PWMValue[0] & 0xFF;


Freq_read = 0x01; // Set this when the frequency is read once. 
}

/*
                     Main application
 */
 void main(void)
{
// initialize the device
SYSTEM_Initialize();


Calib_DONE = 0x00;
Freq_read = 0x00;


while (1)
{

    if ( EN_CALIB_GetValue() == 0) // Calibration mode
    { 

        if ( (Calib_DONE & 0x01) != 1) // If calibration is not done, call calibrate function.
        {
            Calibrate(); 
        } 

    }

    else // Normal operation mode
    {

        if ((Freq_read & 0x01) != 1) // If frequency is not read, call calibrate function.
        {
            ReadData();
        }


        // Other operations

        } 
     }
    // Add your application code
   }
}

内存

void FLASH_WriteWord(uint16_t flashAddr, uint16_t *ramBuf, uint16_t *word)
{
uint16_t blockStartAddr = (uint16_t)(flashAddr & ((END_FLASH-1) ^ (ERASE_FLASH_BLOCKSIZE-1)));
uint8_t offset = (uint8_t)(flashAddr & (ERASE_FLASH_BLOCKSIZE-1));
uint8_t i;

// Entire row will be erased, read and save the existing data
for (i=0; i<ERASE_FLASH_BLOCKSIZE; i++)
{
    ramBuf[i] = FLASH_ReadWord((blockStartAddr+i));
}

// Write at offset
ramBuf[offset] = word[0];
ramBuf[offset+1] = word[1];

// Writes ramBuf to current block
FLASH_WriteBlock(blockStartAddr, ramBuf);
}