如何在8位AVR上进行内联汇编？

Question

我知道这很接近“愚蠢的问题”类别，但是我一直在研究如何在AVR 8位引导加载后执行机器代码，并且已经了解到AVR 8使用的哈佛架构位MCU使得无法从闪存以外的任何地方执行代码。 那么如何使用内联asm在运行时引入新的可执行代码？

Answer 1

您正在混淆三件事：

1. 内联组装

   内联汇编用于将汇编程序指令传递给C（或任何语言）编译器。 编译器会将该汇编程序指令添加到其生成的代码中。 最后，内联汇编程序指令的存储方式与编译器生成的指令相同 。 如果将程序写入闪存，则内联指令也将位于闪存中。

2. 引导加载程序

   引导加载程序通常将从一些输入（例如USB接口）读取数据，并将数据写入闪存。 因此，发送给AVR的程序将稍后从闪存而不是RAM中执行。

3. 从RAM执行代码

   许多处理器都支持。 同样，许多引导加载程序（用于其他微控制器）允许将代码加载到RAM中而不是闪存中并从那里执行代码。 您是对的：至少大多数（也许是全部？）AVR 8位微控制器不支持此功能！

Answer 2

...在AVR 8位MCU上使用的哈佛架构使得无法从闪存以外的任何位置执行代码。

您的理解是正确的，只能从闪存中执行代码。

那么如何使用内联asm在运行时引入新的可执行代码？

您可以编写以纯数据形式写入/读取闪存的代码。 实际上，这正是任何引导程序所完成的。 即使没有显式的“引导加载程序部分”（例如attiny系列）， 也可以通过这种方式访问​​闪存。 您的零件的数据表 （在本示例中为第263页）包含该主题的一章，建议您详细阅读它。

也就是说，我还没有看到利用此功能运行其他代码的代码。 额外的复杂性可能使其对于像AVR这样的小型低功耗微控制器不可行。