如何為STM32L475板交換FLASH存儲器中的兩個區域？

Question

我正在研究STM32L475 IoT套件，它是ARM M4 Cortex設備。 我想交換閃存的兩個區域。 我正在使用的板上有兩個用於閃存的存儲區，每個存儲區的大小為512KB。所以我有1 MB的閃存。 我讀到，要交換閃存的內容，您必須先將其解鎖，然后將其擦除，然后再寫入並在操作結束后鎖定閃存。

還有一個限制，一次只能復制2KB的內存，這被定義為一個頁面。 因此，只能逐頁復制內存。 對於我的應用程序，如果滿足某些條件，我必須交換存儲在閃存中的應用程序1和2。 盡管兩個應用程序均分配了384 KB的內存，但實際上它們都使用的內存少於該應用程序（例如264 KB）。

我嘗試按照上述步驟操作，但無法正常工作。 這是我嘗試的代碼：

    #define APPLICATION_ADDRESS     0x0800F000
    #define APPLICATION2_ADDRESS    0x0806F800
    #define SWAP_ADDRESS            0x0806F000

    boolean swap(void)
    {
      char *app_1=( char*) APPLICATION_ADDRESS;//points to the 1st address of application1
      char *app_2=(char*) APPLICATION2_ADDRESS;//points to the 1st address of application2

        int mem1 = getMemorySize((unsigned char*)APPLICATION_ADDRESS);//returns the number of bytes in Application1
        int mem2 = getMemorySize((unsigned char*)APPLICATION2_ADDRESS);//returns the number of bytes in Application2
        int limit;
        if(mem1>mem2)
            limit= mem1;
        else
            limit= mem2;

        Unlock_FLASH();

       int lm = limit/2048;

        for(int i=1; i<=lm; i++,app_1+=2048,app_2+=2048)
        {
            int *swap = (int *)SWAP_ADDRESS;

            Erase_FLASH(swap);
            Write_FLASH(app_1, swap);
            Erase_FLASH(app_1);
            Write_FLASH(app_2, app_1);
            Erase_FLASH(app_2);
            Write_FLASH(swap, app_2);
        }

            Lock_FLASH();
        return TRUE;
    }

    void Unlock_FLASH(void)
    {
        while ((FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0 );
            // Check if the controller is unlocked already
            if ((FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) != 0 ){
            // Write the first key
            FLASH->KEYR = FLASH_FKEY1;
            // Write the second key
            FLASH->KEYR = FLASH_FKEY2;
            }
    }

    void Erase_FLASH(int *c)
    {
        FLASH->CR |= FLASH_CR_PER; // Page erase operation
    FLASH->ACR = c;     // Set the address to the page to be written
    FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;// Start the page erase

    // Wait until page erase is done
    while ((FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0);
    // If the end of operation bit is set...
    if ((FLASH->SR & FLASH_SR_EOP) != 0){
        // Clear it, the operation was successful
        FLASH->SR |= FLASH_SR_EOP;
    }
    //Otherwise there was an error
    else{
        // Manage the error cases
    }
    // Get out of page erase mode
    FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER;
    }

    void Write_FLASH(int *a, int *b)
   {
    for(int i=1;i<=2048;i++,a++,b++)
    {
    FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;                   // Programing mode
    *(__IO uint16_t*)(b) = *a;       // Write data

    // Wait until the end of the operation
    while ((FLASH->SR & FLASH_SR_BSY) != 0);
    // If the end of operation bit is set...
    if ((FLASH->SR & FLASH_SR_EOP) != 0){
        // Clear it, the operation was successful
         FLASH->SR |= FLASH_SR_EOP;
    }
    //Otherwise there was an error
    else{
        // Manage the error cases
    }
    }
    FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;
}

    void Lock_FLASH(void)
    {
        FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;
    } 

在此，交換緩沖區用於在交換時將每個頁面（2KB）臨時存儲為緩沖區。 同樣，變量限制存儲了應用程序1和2的最大大小，因此，如前所述，在內存大小不相等的情況下進行交換時不會出錯。 所以基本上我是一頁一頁地交換，一次只交換2 KB。

任何人都可以找出代碼中的錯誤嗎？

謝謝，
舍圖

Answer 1

2K是2048字節 ，而不是2024。固定整個代碼的增量。

還有一個限制，一次只能復制2KB的內存

另外，這些存儲塊必須對齊2KB 。

這個地址

#define APPLICATION2_ADDRESS 0x08076400

未正確對齊，則其值應可被2048（0x800）整除。