stm32L476 - 擦除閃存

Question

L4 系列使用頁（或存儲體，如果您進行完全擦除）擦除閃存。 但是在執行頁面擦除后我在寫入時遇到了一些問題，我不知道為什么。

只是為了概述目標，我存儲了從 0x08080000（第 256 頁）開始的 6 個值，然后我存儲了從 0x08080800（第 257 頁）到 0x08085800（第 267 頁）的更多值

我使用一個函數來擦除/寫入第 256 頁的值：

void write_bias_flash(int16_t biases[]) {
    uint16_t *flash_biases = (uint16_t*) (ADDR_FLASH_PAGE_256);
    static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
    Address = ADDR_FLASH_PAGE_256;

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    EraseInitStruct.Page = 0;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;
    EraseInitStruct.NbPages = 1;

    HAL_FLASH_Unlock();
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) {
        serprintf("Error erasing biases at address: 0x%x", Address);
    }
    for (int8_t bias = 0; bias < 6; bias++) {
         if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD,
                Address + bias * sizeof(uint64_t), (uint64_t) biases[bias])
                != HAL_OK)
            serprintf("Error writing biases to flash.");
     }
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Biases stored in flash.");
}

這項工作很棒。 沒有問題。

我有兩個函數用於擦除/寫入從 0x08080800 開始的數據（第 257 頁）：

void Erase_TM_Flash() {
    uint8_t *flash = (uint8_t*) (FLASH_USER_START_ADDR);
    uint8_t *b = (uint16_t*) (ADDR_FLASH_PAGE_256);
    static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
    Address = FLASH_USER_START_ADDR;

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    EraseInitStruct.Page = 1;
    EraseInitStruct.NbPages = 255;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;

    HAL_FLASH_Unlock();
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) {
        serprintf("Error erasing biases at address: 0x%x", Address);
    }

    HAL_FLASH_Lock();

    for (uint16_t i = 0; i< (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t))*255; i++)
    {
        if ((uint16_t) *(flash+i) != 255) {
            serprintf("0x%x is not erased (%i)", flash+i, (uint16_t) *(flash+i));
        }

    }

}
void Save_to_Flash(uint32_t *data) {

    uint32_t src_addr = (uint32_t) data;
    Erase_TM_Flash();
    serprintf("Saving to flash...");
    HAL_StatusTypeDef HAL_STATUS;

    HAL_FLASH_Unlock();
    Address = FLASH_USER_START_ADDR;
    while (Address < (FLASH_USER_END_ADDR - (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t)))) {
        HAL_STATUS = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FAST, Address, (uint64_t) src_addr);
        if (HAL_STATUS == HAL_OK) {
          Address = Addres+ (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
            src_addr = src_addr + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
            } else {
                serprintf("Error writing flash at address 0x%x. (%i)", Address, HAL_STATUS);
                Address = Address + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
                src_addr = src_addr + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
            }
    }
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Done");
    }

擦除工作正常。 我驗證調試器中的值（以及檢查未擦除頁面的代碼）。 但是當保存發生時：

Error writing flash at address 0x8080800. (1)
Error writing flash at address 0x8080900. (1)
Error writing flash at address 0x8080a00. (1)
Error writing flash at address 0x8080b00. (1)

依此類推，直到所有剩余頁面。

但是，如果我擦除整個閃存：

void Erase_Flash() {
    serprintf("Erasing flash...");
    HAL_FLASH_Unlock();
    /* Clear OPTVERR bit set on virgin samples */
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_MASSERASE;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;

    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) {
        serprintf("Error erasing flash.");
    }
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Done.");
}

然后寫作就像一個魅力。 HAL_STATUS = 1，根據我發現的代碼是 HAL_ERROR = 0x01U，這並不完全有用。

我不確定有什么區別，但我希望另一組對我的擦除的關注可能會揭示這個問題。

謝謝！

Answer 1

此問題似乎與閃存快速編程有關，並非在所有 STM32 型號上都可用。

根據參考手冊 (RM0351) ，在使用快速編程之前必須批量擦除閃存。 否則會發生編程序列錯誤， FLASH_SR寄存器中的PGSERR位將被設置。 請參閱快速編程/編程錯誤部分中的3.3.7 閃存主存儲器編程序列和3.7.5位 7 PGSERR下的閃存狀態寄存器 (FLASH_SR) 。

RM0351 修訂版 9，3.3.7 閃存主存儲器編程序列，第 106 頁：

Fast programming
(...)
1. Perform a mass erase of the bank to program. If not, PGSERR is set.
2. (...)

RM0351 修訂版 9，3.3.7 閃存主存儲器編程序列，第 107 頁：

Programming errors
(...)
PGSERR: Programming Sequence Error
PGSERR is set if one of the following conditions occurs:
– (...)
– In the fast programming sequence: the Mass erase is not performed before setting 
  FSTPG bit.
– (...)

因此，觀察到的行為符合預期。 - 因此，您可以替換Erase_TM_Flash()函數並使用Erase_Flash()首先批量擦除整個閃存庫。 或者，完全避免使用閃存快速編程並使用FLASH_Program_DoubleWord()或FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, ...)代替。

相關源文件： stm32l4xx_hal_flash.h 、 stm32l4xx_hal_flash.c

相關文章： STM32——寫和讀flash