STM32F411VET6将数据存储在R / W闪存中

Question

我正在尝试将数据存储在STM32F411VET6的闪存中。 我希望即使重新启动MC后也可以存储并保留内存。 我已经看过这个 ， 这个 ， 这个和这个例子，但是我仍然不确定我是否正确地做到了。 我可以在内存中创建一个位置（我在地图文件中签入），并以此作为分散文件：

LR_IROM1 0x08000000 0x00080000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x00060000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
   .ANY (+XO)
  }
  USER_CONFIG 0x08060000 0x0001FFFF  {
   userConfig.o (+RW)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000  {  ; RW data
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

这对于我的代码（改编自这个例子）：

__attribute__((__section__("USER_CONFIG"))) const char userValues[64];

void Write_Flash(uint32_t data[], uint8_t flashTypeProgram)
{
  uint8_t addressGap;
  HAL_FLASH_Unlock();
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
  FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_7, VOLTAGE_RANGE_3);
  int ii = 0;
  for (ii = 0; ii < 64 / pow(2, flashTypeProgram); ii++)
  {
    addressGap = pow(2, flashTypeProgram) * ii;
    HAL_FLASH_Program(flashTypeProgram, userValues[0] + addressGap, data[ii]);
  }
  HAL_FLASH_Lock();
}

但是，每当我构建代码时，都会出现错误：“没有任何部分与模式userConfig.o相匹配”。

我有什么设置不正确的原因吗？或者为什么我在某个地方错过了通话？

Answer 1

在Kamil Cuk的帮助下，我得以获得解决方案，帮助我解决了一些问题。 我在分散文件中遇到的问题之一是我的加载和执行地址不相同，导致链接器无法按预期工作（在此链接中有很好的解释）。 我将.sct文件修改为以下内容：

LR_IROM1 0x08000000 0x00060000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x00060000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
   .ANY (+XO)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000  {  ; RW data
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

LR_IROM2 0x08060000 0x00020000 {  ; load region size_region
  USER_CONFIG 0x08060000 0x00020000  {
   *(.user_data)
  }
}

在创建了其他加载区域的情况下，该实现将导致我的加载地址和异常地址相同。

然后，如果有人也来这里寻求帮助，这是我闪烁的代码：

__attribute__((section(".user_data"))) const char userConfig[64];

[...]

void Write_Flash(uint32_t data[], uint8_t flashTypeProgram)
{
  uint8_t addressGap;
  HAL_FLASH_Unlock();
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
  FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_7, VOLTAGE_RANGE_3);
  int ii = 0;
  for (ii = 0; ii < 64 / pow(2, flashTypeProgram); ii++)
  {
    addressGap = pow(2, flashTypeProgram) * ii;
    HAL_FLASH_Program(flashTypeProgram, (uint32_t) &userConfig[0] + addressGap, data[ii]);
  }
  HAL_FLASH_Lock();
}

该程序使我可以将数据存储在内部闪存中，即使在硬重启后（断开所有电源，然后重新连接至电路板），该数据也仍会保留。