核心耦合存儲器（CCM），中斷和STM32F3xx

Question

我目前正在使用STM32F303xx系列芯片。 它們具有核心耦合存儲器（CCMRAM），與F4系列上的CCM不同，它允許執行代碼。 我已將關鍵例程（例如ISR）放入CCM，並想知道什么是最有效的設置，將中斷向量表也放入CCM或普通SRAM中，並且有點卡在那個上面。 任何人都可以向我暗示正確的方向嗎？

Answer 1

我不確定它直接對代碼執行性能有任何影響，但關鍵是總線架構，放置數據和代碼的位置，以及是執行DMA操作還是寫入閃存。

閃存，SRAM和CCM都在一個單獨的總線上，在SRAM的許多STM32部件上，對於較大的部件，閃存進一步分為多個總線。 因此，當從一個代碼執行代碼時，可以從另一個代碼同時獲取數據。 但是，如果將數據和指令放在同一存儲器中，則必須序列化指令和數據訪問。 同樣，如果您對內存進行DMA操作，也可能同時影響數據訪問和從同一內存中獲取指令。

在大多數情況下，由於閃存加速器 ，STM32上的片上閃存的代碼執行很少或沒有延遲，因此將代碼放入CCM可能幾乎沒有什么好處。 編程閃存時需要執行的代碼是一個例外，因為閃存寫/擦除操作會在STM32上使總線停頓很長一段時間。

對於性能，最好安排它，使得DMA，指令獲取和數據訪問大部分都發生在不同的總線上。 還要記住，您不能對CCM進行DMA或位帶訪問。 因此CCM適用於指令或數據（不需要DMA或位帶訪問），但理想情況下不能同時進行。

當CCM或SRAM用於代碼時，您會增加鏈接器/啟動復雜性，將代碼放入RAM中，並且與片上閃存相比，錯誤代碼或安全漏洞可能導致代碼損壞，幾乎沒有或沒有顯着的性能優勢。 任何類型的外部存儲器都會明顯變慢 - 部分原因在於EMIF的時鍾速率，還因為它是用於所有外部存儲器的數據和指令的單個總線。