每页STM32F4读存储器闪存

Question

如何读取每页的闪存？ 我无法按部门阅读。

我必须读取2个内存扇区（2 * 16kbytes）。

我在FreeRtos下，正在使用STM32F401RE。

我正在使用指针，我只需要读取闪存的两个扇区。

uint32_t data_store0[4096] = {0};
uint32_t data_store1[4096] = {0};

uint32_t *words0 = (uint32_t *) BASE_ADDR_SECTOR_0;
uint32_t *words1 = (uint32_t *) BASE_ADDR_SECTOR_1;

unsigned int buffer_firmware[8192] = {0};
unsigned char firmware[32768] = {0};

int k, m, i, j = 0;
int count_time = 0;

for(int i=0; i<4096; i++)
{
    data_store0[i] += words0[i];
    buffer_firmware[i] = data_store0[i];
}

for(int j=0; j<4096; j++)
{
    data_store1[j] += words1[j];
}

for(m = 0, k = 4096; k < 8192 && m < 4096; m++, k++)
{
    buffer_firmware[k] = data_store1[m];
}

SHA256Input(&ctx, (const uint8_t *) buffer_firmware, 8192);

Answer 1

首先，在访问内存映射时，必须使用volatile关键字；此外，如果您接受两个页面，则在读取两个页面时必须使用volatile关键字，这是4096字节，然后必须使用uint8_t，因为它具有4096字节。 但是，您要访问它的uint32_t指针，则for循环的最大值必须为4096/4，因为它具有4096/4个字。

uint8_t buffer_firmware[4096]
uint8_t *words0 = (volatile uint8_t *) BASE_ADDR_SECTOR_0;
uint8_t *words1 = (volatile uint8_t *) BASE_ADDR_SECTOR_1;

for(uint16_t i=0; i<4096; i++){
    buffer_firmware[i] = words0[i];
}